一、方案制定
1布爐方案的安排
   為了滿足對焦炭和焦爐煤氣的緊迫需求，盡量增加焦炭和煤氣的產量，布爐方案在利于檢修作業(yè)的同時還要兼顧生產。為此制訂布爐方案如下：檢修爐、空爐、燜爐、緩沖爐、正常生產爐。
2檢修期間各布爐段爐溫控制指標
    為了保證出爐和利于檢修,同時考慮到未翻修火道的溫度保護,在布爐方案的基礎上制訂出各段的溫度控制指標如下：
    檢修爐燃燒室溫度降至50℃—100℃左右;空爐燃燒室溫度降至300℃—500℃左右;燜爐燃燒室溫度降至650℃—850℃左右;緩沖爐燃燒室溫度降至1050℃左右。
二、降溫措施
    檢修爐號成熟后空爐，等檢修爐號兩側爐號成熟后推空檢修爐號，實施降溫。降溫速度的控制通過利用維修火道小孔板加鐵絲直至堵死、調整加減考克旋塞開度、調節(jié)小風門開度及廢氣開閉器開度等措施來實現。并由調火專門人員負責每小時測溫1次，進行檢測控制。各檢修爐號、空爐、燜爐號、緩沖爐號的溫度控制，利用加減考克旋塞開度、風門調節(jié)板開度及廢氣開閉器開度來進行，使其達到要求的溫度范圍。
三、保溫
    焦爐燃燒室吊頂大修，不同于焦爐局部的小面積挖補。其所需用修爐時間長，既要考慮不修火道以及內火道墻面、中心隔墻、對面單面墻及未修補燃燒室墻面的保溫保護，又要注意預留部位自小煙道至斜道區(qū)的溫度保護。采取對未修補燃燒室墻面用水玻璃粘貼上一層10mm厚的硅酸鋁纖維氈，外面貼一層20mm厚的泡沫石棉板;對不修火道墻面、預留立火道隔墻、修補墻面對面單面墻實行邊拆邊貼一層50mm厚的石棉板保護;對預留部分自小煙道至斜道口的保溫采取落廢氣砣、落風門蓋板、用泡沫石棉板封死斜道口，禁止空氣流通的辦法;對未修火道以里炭化室墻面，先砌一道斷熱磚擋墻，擋墻表面先貼一層高鋁針刺氈，其外面用泡沫石棉板擋嚴。當各部位溫度低于所控制要求時，可用開啟煤氣加減考克旋塞，送入適量煤氣使之燃燒來保溫。
四、升溫
    焦爐吊頂大修后的升溫，最大的難點在于升溫速度的控制，既無法按新焦爐烘爐時硅磚溫度梯度升溫，又不能使升溫速度過快或劇烈波動引起硅磚砌體的炸裂。為了既要保證生產，又要確保焦爐檢修部位不受損壞，采用了干燥期和升溫期兩段升溫方式，執(zhí)行不同的溫度控制速度。
1、干燥期?
    焦爐干燥期就是把爐溫升到100℃所需要的天數。其作用是保證砌體的內部水分向外擴散速度與砌體表面水分蒸發(fā)速度相協調，防止溫度過高過快使砌體內部水分很快汽化并產生一定壓力從砌體的灰縫中沖出，使灰縫變得疏松，從而破壞砌體的嚴密性。考慮到所用硅磚是在砌筑前放于抵抗墻烘房內預熱20天左右，溫度已達50℃;檢修挖補處環(huán)境溫度較高，達40℃左右;再加上檢修砌筑一天，邊砌筑邊有預留部位的熱傳遞;對面墻的輻射傳熱干燥等因素，故干燥期不需太長，計劃用12h。其控制方法利用廢氣循環(huán)系統的開度、不上爐門用可調節(jié)開度的石棉板代替;打開上升管、加煤器、看火孔蓋等措施，定時測溫檢查控制。                           
2、升溫?
    焦爐燃燒室為硅磚砌筑，硅磚存在α-石英、β-石英、γ-石英三種類型晶體狀態(tài)，均為二氧化硅的同素異構體。在一定的溫度下，三種類型的晶體形態(tài)存在相互轉化，并伴隨著體積、密度的改變，引起硅磚體積的膨脹。硅磚砌體隨溫度在117～163、180～270、573℃變化時，由于三種晶體的相互轉化，引起了體積急劇變化。在180～270℃范圍內，方石英引起的膨脹最大;溫度為573℃時，石英引起的膨脹次之;117～163℃時磷石英引起的膨脹較小。根據經驗數據，硅磚在300℃以前的膨脹量占0～1300℃間總膨脹量的70%～75%，因此控制好300℃以前的升溫梯度就顯得尤為重要。若控制不好，隨晶體相互轉換引起體積急劇變化，硅磚本身及各砌體間將產生很大的熱應力，導致產生裂紋或把砌體拉開而破壞其嚴密性。為此，把升溫計劃分為5段控制：100～180、180～300、300～600、600～800、800～1100℃;各溫度區(qū)段計劃所需升溫天數分別為：2、3、2、1、0?5天。
    (1)100～180℃區(qū)段該區(qū)段以磷石英引起的體積膨脹為主，其膨脹量占總膨脹量的30%左右，升溫速度控制為每天40℃。控制措施包括自看火孔頂部進冷空氣循環(huán)和降低相鄰炭化室內焦炭溫度，以輻射、熱傳導為主控制溫度。
(2)180～300℃區(qū)段該區(qū)段內硅磚膨脹以方石英的體積膨脹為主，其膨脹量占總膨脹量的32%左右，升溫速度控制為每天40℃。其升溫方法以熱傳導、對流傳熱為主，控制措施有加大廢氣循環(huán)量和控制相鄰炭化室橫墻溫度高低。
    (3)300～600℃區(qū)段該溫度區(qū)段內，硅磚的膨脹主要是石英的體積膨脹引起的，其膨脹占總膨脹量的16%左右，較前兩個區(qū)段的膨脹有了較大的降低，其升溫速度也可適當加快，控制為每天150℃。控制方法以熱傳導、輻射傳熱為主，其升溫措施為提高相鄰炭化室橫墻溫度，增加熱傳導、熱輻射，減少進廢氣循環(huán)系統的空氣量。
    (4)600～800℃區(qū)段該溫度區(qū)段內，硅磚的膨脹量已明顯減緩，體積膨脹量僅占總膨脹量的8%左右，因此升溫速度可加快，控制為每天200℃。升溫方法以減少進入廢氣循環(huán)系統的空氣量、提高相鄰炭化室橫墻溫度為主。當火道溫度達到650℃以上時，由內向外逐個火道送煤氣燃燒加熱升溫。
    (5)800～1100℃區(qū)段當硅磚砌體溫度達到800℃以后，體積變化更小，線膨脹率曲線趨向水平，達到正常裝煤溫度區(qū)間內，硅磚的體積比較穩(wěn)定。為了早日投產，升溫速度需加快。升溫方法主要靠送入煤氣燃燒加熱和提高相鄰炭化室橫墻溫度，密封上升管蓋和加煤口蓋來控制。